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News淺析日本共和壓力傳感器的感測原理技術(shù)區(qū)別
更新時間：2018-11-02 點擊次數(shù)：1408次
日本共和壓力傳感器一般用于對傳感器敏感器件所處氣體或液體氛圍的壓力測量，一般用于反饋給系統(tǒng)主控單元，實現(xiàn)系統(tǒng)控制。壓力傳感器作為傳感器中的一大門類，在汽車、工業(yè)、家電、消費電子等不同行業(yè)均有廣泛的應(yīng)用。常用日本共和壓力傳感器從感測原理來區(qū)分，主要包括如下幾大類：
硅壓阻技術(shù)的日本共和壓力傳感器由半導(dǎo)體的壓阻特性來實現(xiàn)，半導(dǎo)體材料的壓阻特性取決于材料種類、摻雜濃度和晶體的晶向等因素。該技術(shù)可以采用半導(dǎo)體工藝實現(xiàn)，具有尺寸小，產(chǎn)量高、成本低、信號輸出靈敏度高等優(yōu)勢。不足之處主要體現(xiàn)在介質(zhì)耐受程度低，溫度特性差和長期穩(wěn)定性較差等方面。常見于中低壓量程范圍，如5kPa~700kPa。業(yè)界也有通過特殊封裝工藝提高硅壓阻技術(shù)的介質(zhì)耐受程度的方案，如充油、背壓等技術(shù)，但也會帶來成本大幅增加等問題。
陶瓷電阻技術(shù)的日本共和壓力傳感器采用厚膜印刷工藝將惠斯通電橋印刷在陶瓷結(jié)構(gòu)的表面，利用壓敏電阻效應(yīng)，實現(xiàn)將介質(zhì)的壓力信號轉(zhuǎn)換為電壓信號。陶瓷電阻技術(shù)具有成本適中，工藝簡單等優(yōu)勢，目前國內(nèi)有較多廠家提供陶瓷電阻壓力傳感器芯體。但該技術(shù)信號輸出靈敏度低，量程一般限定在500kPa~10MPa，且常規(guī)中空結(jié)構(gòu)，僅靠膜片承壓，抗過載能力差，當(dāng)待測介質(zhì)壓力過載時，陶瓷電阻傳感器會存在膜片破裂，介質(zhì)泄露的風(fēng)險。
玻璃微熔技術(shù)的日本共和壓力傳感器采用高溫?zé)Y(jié)工藝，將硅應(yīng)變計與不銹鋼結(jié)構(gòu)結(jié)合。硅應(yīng)變計等效的四個電阻組成惠斯通電橋，當(dāng)不銹鋼膜片的另一側(cè)有介質(zhì)壓力時，不銹鋼膜片產(chǎn)生微小形變引起電橋變化，形成正比于壓力變化的電壓信號。玻璃微熔工藝實現(xiàn)難度較大，成本高。主要優(yōu)勢是介質(zhì)耐受性好，抗過載能力強，一般適用于高壓和超高壓量程，如10MPa~200MPa，應(yīng)用較為受限。
陶瓷電容技術(shù)的日本共和壓力傳感器采用固定式陶瓷基座和可動陶瓷膜片結(jié)構(gòu)，可動膜片通過玻璃漿料等方式與基座密封固定在一起。兩者之間內(nèi)側(cè)印刷電極圖形，從而形成一個可變電容，當(dāng)膜片上所承受的介質(zhì)壓力變化時兩者之間的電容量隨之發(fā)生變化，通過調(diào)理芯片將該信號進行轉(zhuǎn)換調(diào)理后輸出給后級使用。陶瓷電容技術(shù)具有成本適中，量程范圍寬，溫度特性好、一致性、長期穩(wěn)定性好等優(yōu)勢。上來看廣泛應(yīng)用于汽車與工業(yè)過程控制等領(lǐng)域，分別以美國森薩塔和瑞士E+H為代表。
硅壓阻技術(shù)的日本共和壓力傳感器由半導(dǎo)體的壓阻特性來實現(xiàn)，半導(dǎo)體材料的壓阻特性取決于材料種類、摻雜濃度和晶體的晶向等因素。該技術(shù)可以采用半導(dǎo)體工藝實現(xiàn)，具有尺寸小，產(chǎn)量高、成本低、信號輸出靈敏度高等優(yōu)勢。不足之處主要體現(xiàn)在介質(zhì)耐受程度低，溫度特性差和長期穩(wěn)定性較差等方面。常見于中低壓量程范圍，如5kPa~700kPa。業(yè)界也有通過特殊封裝工藝提高硅壓阻技術(shù)的介質(zhì)耐受程度的方案，如充油、背壓等技術(shù)，但也會帶來成本大幅增加等問題。
陶瓷電阻技術(shù)的日本共和壓力傳感器采用厚膜印刷工藝將惠斯通電橋印刷在陶瓷結(jié)構(gòu)的表面，利用壓敏電阻效應(yīng)，實現(xiàn)將介質(zhì)的壓力信號轉(zhuǎn)換為電壓信號。陶瓷電阻技術(shù)具有成本適中，工藝簡單等優(yōu)勢，目前國內(nèi)有較多廠家提供陶瓷電阻壓力傳感器芯體。但該技術(shù)信號輸出靈敏度低，量程一般限定在500kPa~10MPa，且常規(guī)中空結(jié)構(gòu)，僅靠膜片承壓，抗過載能力差，當(dāng)待測介質(zhì)壓力過載時，陶瓷電阻傳感器會存在膜片破裂，介質(zhì)泄露的風(fēng)險。
玻璃微熔技術(shù)的日本共和壓力傳感器采用高溫?zé)Y(jié)工藝，將硅應(yīng)變計與不銹鋼結(jié)構(gòu)結(jié)合。硅應(yīng)變計等效的四個電阻組成惠斯通電橋，當(dāng)不銹鋼膜片的另一側(cè)有介質(zhì)壓力時，不銹鋼膜片產(chǎn)生微小形變引起電橋變化，形成正比于壓力變化的電壓信號。玻璃微熔工藝實現(xiàn)難度較大，成本高。主要優(yōu)勢是介質(zhì)耐受性好，抗過載能力強，一般適用于高壓和超高壓量程，如10MPa~200MPa，應(yīng)用較為受限。
陶瓷電容技術(shù)的日本共和壓力傳感器采用固定式陶瓷基座和可動陶瓷膜片結(jié)構(gòu)，可動膜片通過玻璃漿料等方式與基座密封固定在一起。兩者之間內(nèi)側(cè)印刷電極圖形，從而形成一個可變電容，當(dāng)膜片上所承受的介質(zhì)壓力變化時兩者之間的電容量隨之發(fā)生變化，通過調(diào)理芯片將該信號進行轉(zhuǎn)換調(diào)理后輸出給后級使用。陶瓷電容技術(shù)具有成本適中，量程范圍寬，溫度特性好、一致性、長期穩(wěn)定性好等優(yōu)勢。上來看廣泛應(yīng)用于汽車與工業(yè)過程控制等領(lǐng)域，分別以美國森薩塔和瑞士E+H為代表。
