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News電阻式日本共和應變片按材質可分為金屬和半導體兩類
更新時間:2018-12-21 點擊次數(shù):2515次
力學傳感器的種類繁多,如日本共和應變片壓力變送器、半導體應變片壓力變送器、壓阻式壓力變送器、電感式壓力變送器、電容式壓力變送器、諧振式壓力變送器及電容式加速度傳感器等。但應用為廣泛的是壓阻式壓力變送器,它具有極低的價格和較高的精度以及較好的線性特性。下面我們主要介紹這類傳感器。
在了解壓阻式壓力變送器時,我們首先認識一下電阻應變片這種元件。日本共和應變片 是一種將被測件上的應變變化轉換成為一種電信號的敏感器件。它是壓阻式應變變送器的主要組成部分之一。電阻應變片應用多的是金屬電阻應變片和半導體應變片兩種。金屬電阻應變片又有絲狀應變片和金屬箔狀應變片兩種。通常是將應變片通過特殊的粘和劑緊密的粘合在產(chǎn)生力學應變基體上,當基體受力發(fā)生應力變化時,電阻應變片也一起產(chǎn)生形變,使應變片的阻值發(fā)生改變,從而使加在電阻上的電壓發(fā)生變化。這種應變片在受力時產(chǎn)生的阻值變化通常較小,一般這種應變片都組成應變電橋,并通過后續(xù)的儀表放大器進行放大,再傳輸給處理電路(通常是A/D轉換和CPU)顯示或執(zhí)行機構。
電阻式日本共和應變片的種類一般分為兩類:
一、一般金屬應變片
一般金屬日本共和應變片 分為金屬絲式、箔式、薄膜式三種。壓力變送器金屬絲式應變片有紙基、腔基兩種,由F該糞應變片受拉伸時蠕變較大容易斷裂、脫膠,使絕緣萑底和蓋層分離,所以有被其他兩種庖變片取代的趨勢。但幽制作簡單、價格便宜,日前仍廣泛用于低測量精度應力、應變測量場合。
金屬箔式應變片采用光刻、腐蝕T藝,在粘貼于絕緣基底的薄盒屬fi-上制成箔式電阻嗍柵。由于與基底的接觸面機較』=。所以在受拉伸時不易脫膠。散熱條件好,可通過較大電流。蠕變較小、一致性好易J‘大批量牛產(chǎn)。I:1前廣泛用f應變式傳感器制造r。
薄膜式應變片采用真空蒸鍍技術,在絕緣基屬上蒸鍍層薄金屬材料制成薄膜電阻,然后用覆蓋層加以保護。它與基地的接觸面積大,性能優(yōu)J‘其他應變電阻。
二、半導體應變片
半導體日本共和應變片 采用鍺、硅半導體材料。利用光刻、腐蝕或壓膜工藝,壓力變送器在基底P制成應變敏堪柵,然后用覆蓋層加以保護,如罔14—4所爪。
半導體應變片的優(yōu)點足應變系數(shù)較大.分辨率高。但由于半導體材料性質決定了它與應變之間的非線性,所以溫漂大、一致性也差。在使用時應增加溫度樸償、零點漂移抑制以廈其他非線性補償措施。
在網(wǎng)14—4中,N型硅和P型鍺兩種半導體在受拉伸時,阻值變化互異,可構成取臂半嬌,即可產(chǎn)生溫度自補效應又可降低非線性影響。
在了解壓阻式壓力變送器時,我們首先認識一下電阻應變片這種元件。日本共和應變片 是一種將被測件上的應變變化轉換成為一種電信號的敏感器件。它是壓阻式應變變送器的主要組成部分之一。電阻應變片應用多的是金屬電阻應變片和半導體應變片兩種。金屬電阻應變片又有絲狀應變片和金屬箔狀應變片兩種。通常是將應變片通過特殊的粘和劑緊密的粘合在產(chǎn)生力學應變基體上,當基體受力發(fā)生應力變化時,電阻應變片也一起產(chǎn)生形變,使應變片的阻值發(fā)生改變,從而使加在電阻上的電壓發(fā)生變化。這種應變片在受力時產(chǎn)生的阻值變化通常較小,一般這種應變片都組成應變電橋,并通過后續(xù)的儀表放大器進行放大,再傳輸給處理電路(通常是A/D轉換和CPU)顯示或執(zhí)行機構。
電阻式日本共和應變片的種類一般分為兩類:
一、一般金屬應變片
一般金屬日本共和應變片 分為金屬絲式、箔式、薄膜式三種。壓力變送器金屬絲式應變片有紙基、腔基兩種,由F該糞應變片受拉伸時蠕變較大容易斷裂、脫膠,使絕緣萑底和蓋層分離,所以有被其他兩種庖變片取代的趨勢。但幽制作簡單、價格便宜,日前仍廣泛用于低測量精度應力、應變測量場合。
金屬箔式應變片采用光刻、腐蝕T藝,在粘貼于絕緣基底的薄盒屬fi-上制成箔式電阻嗍柵。由于與基底的接觸面機較』=。所以在受拉伸時不易脫膠。散熱條件好,可通過較大電流。蠕變較小、一致性好易J‘大批量牛產(chǎn)。I:1前廣泛用f應變式傳感器制造r。
薄膜式應變片采用真空蒸鍍技術,在絕緣基屬上蒸鍍層薄金屬材料制成薄膜電阻,然后用覆蓋層加以保護。它與基地的接觸面積大,性能優(yōu)J‘其他應變電阻。
二、半導體應變片
半導體日本共和應變片 采用鍺、硅半導體材料。利用光刻、腐蝕或壓膜工藝,壓力變送器在基底P制成應變敏堪柵,然后用覆蓋層加以保護,如罔14—4所爪。
半導體應變片的優(yōu)點足應變系數(shù)較大.分辨率高。但由于半導體材料性質決定了它與應變之間的非線性,所以溫漂大、一致性也差。在使用時應增加溫度樸償、零點漂移抑制以廈其他非線性補償措施。
在網(wǎng)14—4中,N型硅和P型鍺兩種半導體在受拉伸時,阻值變化互異,可構成取臂半嬌,即可產(chǎn)生溫度自補效應又可降低非線性影響。